キオクシアは岐阜県北上の製造棟で、第10世代3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」の量産を2026年7月3日に開始します。AI関連産業の拡大に伴うデータセンター需要の増加に対応するため、同棟を主要生産拠点として位置づけ、インターフェイス速度を第8世代比で33%向上させた新型メモリーの供給を加速させます。
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キオクシアは2026年7月3日、岐阜県北上の第2製造棟（K2棟）で、第10世代の3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」の量産を開始すると発表しました。K2棟は2025年9月に稼働を始め、現在は第8世代の3次元フラッシュメモリーを製造しており、今後は第8世代と第10世代の両製品の主要生産拠点になります。
なぜ重要か
K2棟の幹部は、AI需要の拡大に伴い、エンタープライズデータセンターやSSDなどのデータ用途で、フラッシュメモリーの需要が急速に増加していると指摘しています。第10世代BiCS FLASHは第8世代に比べNANDインターフェイス速度が33%向上し、4.8ギガビット/秒に達するため、AI関連産業の成長期において、供給拡大が競争力強化につながるとみられます。
注目点
第10世代BiCS FLASHは1Tbの容量を持つTLC（Triple-Level-Cell）メモリーで、従来のCBA（CMOS directly Bonded to Array）技術とOPS（On Pitch Select Gate Drain）技術を採用しています。サンプル出荷は既に開始されており、K2棟での量産開始により、供給体制の整備が進む予定です。
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