ルネサス、AIデータセンター向け100V GaN FET

ルネサスは今回初めてGaNポートフォリオを低電圧側に拡張し、高効率・高電力密度が求められながら100Vクラスの製品が空白だった領域に対応する。新デバイスは標準シリコンと同様に駆動できるよう設計されたエンハンスメントモード（ノーマリーオフ）GaN技術を採用し、既存MOSFETのレイアウトと互換性のあるパッケージで提供される。

うたう利点は高効率、高速スイッチング、放熱性向上で、基板面積や磁性部品、受動部品の縮小、ファンやアクティブ冷却への依存低減を狙う。これによりシステム簡素化と部品表コスト削減が可能だと同社は説明する。また放熱構成は底面と両面の2種類を用意し、設計の柔軟性を確保する。

競争上の試金石は、信頼性と長い認定サイクルが重視されるAIデータセンター、ロボティクス、産業用モータードライブで設計者が実際に採用するかどうか。効率と密度の主張が実践で裏付けられれば、ルネサスは低電圧GaNのより完全なサプライヤーになり得るが、移行は顧客の検証とデザイン採用にかかっている。