SK hynix、AI向け次世代メモリHBFの標準仕様を初公開

2026年8月3日、SK hynixはSandiskとの協力下で、次世代ストレージ技術High Bandwidth Flash（HBF）の初となる標準仕様を公開しました。この発表は、カリフォルニア州サンタクララで8月4～6日に開催されるFMS（Future of Memory and Storage）2026の開幕に合わせたもので、SK hynixはイベント期間中に基調講演とパネル討論を通じてHBFをAI時代のメモリボトルネック解決を実現する重要技術として提示する予定です。

HBF技術は、HBM（高帯域メモリ）とSSD（ソリッドステートドライブ）の間に位置する新しいメモリ層として機能し、HBMと同等の高速データ転送をNAND技術による大容量拡張と組み合わせています。AI推論処理の急増に伴うデータ処理量の爆発的増加に対して、従来の通信速度と容量の両立課題を同時に解決する技術として注目されています。標準仕様では容量は8段積みと16段積みの2つの構成で512GBまで対応し、帯域幅は3つのグレード（Grade1～3）で約0.4TB/sから3.0TB/sの範囲で段階的に提供されるよう設計されています。

この標準化は、SK hynixが2025年8月にSandiskとの標準化パートナーシップを開始した後、2026年2月にコンソーシアムを正式立ち上げしてからわずか6ヶ月という迅速な進展であり、GoogleやTenstorrentなどの主要企業の参画により生態系の拡大が同時進行しています。イベント会場ではSK hynixが第10世代375層の4D NANDフラッシュメモリを初展示するほか、Google DeepMindやSandiskとのパネル討論「Breaking the Memory Wall with HBF」が予定されており、業界の関心の高さが伺えます。この4D NANDは従来比で2.5倍の電力効率を実現するとされています。

HBF技術の統合を可能にするもう一つの重要要素は、UCIe1（Universal Chiplet Interconnect Express）という業界標準の接続インターフェース規格の採用です。これにより、GPUやCPUを含む異なるプロセッサタイプ間で柔軟にHBF技術を統合できるように設計されており、今後の広範な業界導入への基盤が築かれています。SK hynixは「HBF技術を通じてメモリとストレージの境界を広げ、システム効率を向上させる新しいアーキテクチャの実現に貢献する」としており、AI基盤インフラの次世代化に向けた重要な一歩と位置付けています。